طراحی مدارهای جمع کننده و ضرب کننده 8 بیتی برگشت پذیر
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان
- author فاطمه نادرپور
- adviser عباس وفایی
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1387
abstract
چکیده ندارد.
similar resources
طراحی ضرب کننده 32 بیتی توان کم و سرعت بالا
در این پژوهش، طراحی یک ضرب کننده 33 بیتی توان کم و سرعت بالا با حداقل اندازه تراشه براساس آلگوریتم بوز بهینه شده رادیکس هشت مورد توجه قرار گرفته است. در این پژوهش با بهینه سازی روش پیاده سازی الگوریتم بوز رادیکس هشت و همچنین استفاده از لاجیک cpl-like در پیاده سازی مداری انکودر بوز و جمع کننده ها، توان مصرفی و سطح مورد نیاز تا حد زیادی کاهش پیدا کرده است. بطوریکه در فرکانس 100 مگاه هرتز و تک...
15 صفحه اولطراحی، بهبود و lay-out ضرب کننده 64x64 بیتی
در این پایان نامه سه نوع ضرب کننده مختلف بررسی شده است. 1-ضرب کننده baugh-wooley بررسی شد بعد مدار self-time مربوطه طراحی شده و در این ضرب کننده استفاده شد که در نتیجه سرعت مدار بالا رفته و توان مصرفی کاهش یافت. 2-ضرب کننده serial بررسی شد،مدار شیفت به آن اضافه شد و در نهایت درخت wallace جهت کاهش سیکل مدار استفاده شد که در نتیجه سرعت مدار افزایش یافت. 3-ضرب کننده modular بررسی شد که با بکارگ...
15 صفحه اولشبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT
در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...
full textشبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT
در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شد...
full textMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023